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薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究---优秀毕业论文 参考文献 可复制黏贴.pdf
薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究Research TFT-LCDFour Mask Process 学科专业:电子与通信工程 指导教师:郝久玉教授 企业导师:皇甫鲁江 教授级高工 天津大学电子信息
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薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究.docx
.docin.comSummary:随着现今信息技术的高速发展,液晶显示器在技术水平上也有了明显提高,从之前传统的CRT模式转变为现今的平板显示器。不但在质量和技术方面有了较大提高,且具有更多优点,如
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13m量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.doc
量子阱结构SLD 的一次光刻工艺研究 重庆400060) 具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了 一种 11 量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介 。通过一系列的实
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1_3_m量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.docx
量子阱结构SLD 的一次光刻工艺研究 重庆400060) SLD)具有良好的温度特性和一致性 。简要介绍了 一种 11 量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介 。通过
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TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量.docx
TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量
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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究.pdf
LiquidCrystals DisplaysVol123,No12Apr ,2008文章编号:100722780(2008) 0220183205薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究刘 
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13μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.pdf
13μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究m,μm,结构,量子阱结构,SLD,1_3,工艺的研究,13μm,13μm,结构的光刻
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次光刻工艺技术.docx
次光刻的工艺技术次光刻的工艺技术_薄膜晶体管(TFT)阵列创造技术 3.4 TFT 次光刻的工艺技术下面我们介绍通过 次光刻制作共栅极线存储电容的底栅结构的TFT阵列工艺。TFT 技术进展到今日主要是
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TFT 5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.docx
TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺 辛玉洁l,2,于春崎la,2 (1.a.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;b.长春方圆光电技术有限责任公司, 长春130033;2.中国科学院研究生院,北
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tft5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.pdf
tft5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺

向豆丁求助:有没有次光刻工艺?