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倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理.pdf
- 倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理
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三种光学薄膜质子和电子辐照着色效应研究.pdf
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CMOS图像传感器辐照效应的研究.pdf
- CMOS图像传感器辐照效应的研究 ...
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AlGaNGaN+HEMT器件的辐照效应研究.pdf
- AlGaNGaN+HEMT器件的辐照效应研究AlGaNGaN+HEMT器件的辐照效应研究AlGaNGaN+HEMT器件的辐照效应研究
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AlGaN/GaN+HEMT器件的辐照效应研究.pdf
- Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其 研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN)基高电子 迁移率晶体管(HEMT)等器件成为航天等领域应用的重要选择。对于空间辐射环 境的影响及长时间高偏置工作给器件带来的可靠性问题，是目前国内外尚未深入 开展的基础研究工作。本论文针对新型GaN基HEMT器件的辐射损伤效应和高场 退化效应作为研究内容，开展了实验和理论两方面系统深入的研究。 实验方面，本论文针对GaN基HEMT器件，首次采用多种辐射源(包括60Co γ射线、高能电子、中子和质子)系统地利用各种表征技术研究了材料和器件的辐 射损伤效应，得到了AlGaN/GaN HEMT的主要辐射损伤机制。在理论上，创新地 建立了针对GaN基HEMT器件有效的辐射损伤模拟方法，并针对辐射感生陷阱电 荷损伤机制进行了深入的仿真实验和理论分析。本论文还通过研究高场应力对 GaN基器件特性的影响，得到了AlGaN/GaN HEMT的主要高场损伤机制。在理论 上创新地提出了沟道热电子触发和栅电子注入产生缺陷陷阱的耦合模型。
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4H-SiC+SBD与MESFET高能粒子辐照效应研究.pdf
- 碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。由于在航天、军事、核等强辐射领域的应用前景，SiC器件辐照效应的研究是其将来广泛应用的的基础。 SiC肖特基势垒二极管(SBD)与金属半导体场效应晶体管(MESFET)是目前比较成熟，已经逐步实用的SiC功率器件。但是对其辐照效应和损伤机理的研究还存在很多问题：(1)国际上对SiC肖特基接触的辐照实验的报道，主要集中在对辐照效应的观察上，而对损伤机理的研究还缺乏相应的实验证据；(2)国际上报道SiC SBD的辐照实验，辐照时一般都是零偏置。而在实际应用中SiC肖特基接触往往工作在反偏压下(例如在MESFET中)，目前还缺乏相应的实验研究；(3)欧姆接触是SiC功率器件的重要组成部分，但是其辐照效应目前还未见报道报道；(4)SiC MESFET的中子辐照效应还未见报道。 本文采用我们制备的4H-SiC SBD和国内研制的4H-SiC MESFET开展了γ射线、高能电子和中子的辐照实验，观察了辐照效应并研究了退化机理；并对基于SiC SBD的电离辐照探测器和辐射伏特电池进行了研究。本文主要的研究内容和创新性成果如下： (1)采用本实验室的SiC外延设备生长了非故意掺杂4H-SiC同质外延层，并参考国内外比较成熟的SiC器件工艺制备了辐照实验所需要的Ni、Ti/4H—SiCSBD和TLM欧姆接触测试图形。测试结果表明，制备的SiC SBD器件具有良好的整流特性；在高掺杂衬底上制备的欧姆接触的比接触电阻达到了国际主流工艺水平；采用热电子发射理论提取了本文制备的SiC SBD的肖特基势垒高度(φB)、理想因子和串联电阻。 (2)采用制备的Ni、Ti/4H-SiC SBD开展了不同偏压下的γ射线辐照实验，辐照源为60Co，最高积累剂量为1Mrad(Si)，辐照过程中对器件分别加0V和-30V偏压。测试了辐照生电流和室温下的退火效应以分析器件的退化机理。经过1Mrad(Si)的γ射线辐照后，不同偏压下的Ni和Ti/4H-SiC SBD的正向特性和辐照生电流都没有明显变化，反向电流轻微下降。在室温下经过两个星期的退火后，反向特性有明显的退火效应，本文分析认为器件反向特性的变化是由于表面电荷的变化造成的。
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SOI和铁电薄膜及其器件的辐照效应研究.pdf
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第4章_4.3-4.4_辐照缺陷-辐照效应 _研究生(应用型)_新.ppt
- 空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室空间环境材料行为及评价技术重点实验室航天器材料及器件评价理论与方法空间环境材料行为及评价技术国防科技重点实验室4.3带电粒子辐照缺陷带电粒子通过电离、位移及
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碳化硅和若干金属氧化物辐照效应的研究(精品).pdf
- 碳化硅和若干金属氧化物辐照效应的研究(精品),氧化物结合的碳化硅砖,氧化物结合碳化硅,氧化物,酸性氧化物,碱性氧化物,氮氧化物,超氧化物歧化酶,氧化物gdms检测,金属氧化物避雷器
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gaas太阳电池空间粒子辐照效应及在轨性能退化预测方法.pdf
- 国内图书分类号：TM914.4学校代码：10213 国际图书分类号：8630j；6180 密级：公开 工学博士学位论文 GaAs 太阳电池空间粒子辐照效应 及在轨性能退化预测方法 博士研究生 工学博士
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向豆丁求助：有没有电子辐照效应?
