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一种利用单次光刻和热回流实现多台阶衍射微光学元件的方法.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN111239879A （43）申请公布日 2020.06.05 （21）申请号 CN202010098358.8 （2
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一种三次光刻实现的TFT像素结构及其制作方法.doc
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以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法.doc
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薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究---优秀毕业论文 参考文献 可复制黏贴.pdf
薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究Research TFT-LCDFour Mask Process 学科专业：电子与通信工程 指导教师：郝久玉教授 企业导师：皇甫鲁江 教授级高工 天津大学电子信息
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薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究.docx
.docin.comSummary：随着现今信息技术的高速发展，液晶显示器在技术水平上也有了明显提高，从之前传统的CRT模式转变为现今的平板显示器。不但在质量和技术方面有了较大提高，且具有更多优点，如
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一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法.pdf
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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究.pdf
LiquidCrystals DisplaysVol123,No12Apr ,2008文章编号:100722780(2008) 0220183205薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究刘　
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13m量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.doc
量子阱结构SLD 的一次光刻工艺研究 重庆400060) 具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了 一种 11 量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介 。通过一系列的实
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次光刻技术.docx
次光刻技术3.5 次光刻的3.29所示。 图3.29 次光刻是在5次光刻基础上进展起来的，其中比较重要的变幻是将非金属层非晶硅与n＋非晶硅的光刻和漏极与源极的光刻合并在一起，把 ITO 膜制作放在最后
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