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提高晶闸管高温反偏性能的研究(论文范文).doc
- F-0DGC9N；关于“论文”中“毕业论文”的论文参考范文文档。正文共1,671字，word格式文档。内容摘要：引言，高温反偏失效机理分析，表面离子迁移：离子会沿氧化物表面迁移，可激活Si层中的局部缺陷使器件退化，如Na离子向pn结附近的金属化层迁移，使金属下面的感应结变宽，使漏电流增加，从而使击穿电压降低，软击穿：Si- SiO2系统中存在电荷和界面效应起着表面复合中心的作用，就会在表面产生复合电流，当pn结反向偏置时，这部分电流直接从表面流过，形成表面漏电流，也使pn结得反向电流不饱和，而且随着外加反向电压的增高而增大，从而形成软击穿，改进措施，结束语，参考文献，美]施敏，电子工业半导体专业工人技术教材编写组.半导体器件工艺[M].上海科学技术文献出版社，主编：庄同曾，扬晶琦.电力电子器件原理与设计
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向豆丁求助：有没有反偏?
