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ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO_Si发光器件研究.pdf

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薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法(3).ppt

薄膜的物理制备技术直流溅射射频溅射磁控溅射离子束溅射真空蒸发溅射沉积离子镀物理气相沉积（PVD）电阻加热感应加热电子束加热激光加热直流二极型离子镀射频放电离子镀等离子体离子镀一、离子镀1.原理；2.特

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大气开放式MOCVD方法制备ZnO薄膜的气敏特性研究.pdf

大气开放式MOCVD方法制备ZnO薄膜的气敏特性研究

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(论文)用MOCVD方法制备ZnO:B透明导电薄膜及其性能优化.pdf

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薄膜材料及制备方法概述ppt课件.ppt

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MOCVD 技术制备BZO 薄膜及其在太阳电池中应用.pdf

MOCVD 技术制备BZO 薄膜及其在太阳电池中应用应用,制备,技术,MOCVD,太阳电池,薄膜及其,在太阳电池,太阳电池板,mocvd

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MOCVD制备大面积TiO2薄膜及TiO2Bi2O3体系光催化性能的研究.pdf

MOCVD制备大面积TiO2薄膜及TiO2Bi2O3体系光催化性能的研究制备,面积,薄膜,MOCVD,TiO2,光催化薄膜,薄膜的,TiO,研究,性质的研究

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纳米tio2薄膜的制备方法.pdf

收稿:2001年9月收修改稿:2001年12月%国家自然科学基金资助项目(批准号:20073011D%%通讯联系人e-mail:Zyjiang@纳米TO薄膜的制备方法%崔晓莉江志

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论文:多晶硅薄膜的制备方法.doc

多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积,低成本制备的优点.因此,对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注,多晶硅薄膜的制备工艺可分...免费阅读！免费分享！如需请下载！

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多晶硅薄膜的制备方法.doc

快速热退火 RTA 一般而言，快速退火处理过程包含三个阶段：升温阶段、稳定阶段和冷却阶段。当退火炉的电源一打开，温度就随着时间而上升，这一阶段称为升温阶段。单位时间内温度的变化量是很容易控制的。在升温过程结束后，温度就处于一个稳定阶段。最后，当退火炉的电源关掉后，温度就随着时间而降低，这一阶段称为冷却阶段。用含氢非晶硅作为初始材料，进行退火处理。平衡温度控制在600℃以上，纳米硅晶粒能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着退火过程中的升温快慢而变化。在升温过程中，若单位时间内温度变化量较大

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