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次光刻的简要回顾.docx
- 次光刻的简要回顾3.3 次光刻的简要回顾最早的第 代生产线。对7次光刻的理解是建立TFT 制作技术的基础。7 次光刻形成TFT 阵列需14 个步骤，讲述如下。 步，制作金属电极栅极和存储电容电极。清洗
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次光刻的工艺技术.docx
- 次光刻的工艺技术次光刻的工艺技术_薄膜晶体管（ＴＦＴ）阵列创造技术 3.4 TFT 次光刻的工艺技术下面我们介绍通过 次光刻制作共栅极线存储电容的底栅结构的TFT阵列工艺。TFT 技术进展到今日主要是
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TFT 5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.docx
- TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺 辛玉洁l，2，于春崎la,2 (1．a．中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；b．长春方圆光电技术有限责任公司， 长春130033；2．中国科学院研究生院，北
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1_3_m量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.docx
- 量子阱结构SLD 的一次光刻工艺研究 重庆400060) SLD)具有良好的温度特性和一致性 。简要介绍了 一种 11 量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介 。通过
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tft5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.pdf
- tft5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
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TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量.docx
- TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量
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TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺.docx
- TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
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13μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究.pdf
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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究.pdf
- 薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究灰化,研究,光刻胶,薄膜晶体管,工艺的,工艺中,灰 化,工 艺 的,研 究,安智光刻胶
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[指南]薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究.doc
- [指南]薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究研究,灰化,光刻胶灰化,灰化的,光刻胶,薄膜晶体管,胶工艺,正光刻胶,紫外光刻胶,光刻胶成分
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向豆丁求助：有没有次光刻?
